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CSD17313Q2T

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निर्माता भाग
CSD17313Q2T
उत्पादक
Texas Instruments
विवरण
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
स्टॉक में
10628
डेटाशीट ऑनलाइन
-
  • श्रृंखला:NexFET™
  • पैकेट:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • भाग की स्थिति:Active
  • फेट टाइप:N-Channel
  • तकनीकी:MOSFET (Metal Oxide)
  • ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):30 V
  • करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25°c:5A (Ta)
  • ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):3V, 8V
  • rds on (अधिकतम) @ id, vgs:30mOhm @ 4A, 8V
  • वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:1.8V @ 250µA
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:2.7 nC @ 4.5 V
  • वीजीएस (अधिकतम):+10V, -8V
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:340 pF @ 15 V
  • फेट फीचर:-
  • बिजली अपव्यय (अधिकतम):2.4W (Ta), 17W (Tc)
  • परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:6-WSON (2x2)
  • पैकेज / केस:6-WDFN Exposed Pad
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FedEx अंतर्राष्ट्रीय प्राथमिकता, 3-7 व्यावसायिक दिन।
ईएमएस, 10-15 कार्यदिवस।
पंजीकृत एयर मेल, 15-30 व्यावसायिक दिन
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